CMPスラリー(化学的機械的液体研磨剤)
お客さまのニーズに対応したCMPスラリーをご提供することが可能です。
スラリータンク
特長
当社はCMPスラリーを開発・製造しております。CMPとはChemical Mechanical Polishingの略で、化学的に溶解させながら機械的な除去、研磨を行います。付与する化学的作用は削りたい物質の化学的な性質に依存します。
・半導体銅配線形成用（CMPスラリー）
半導体銅配線用CMPスラリーは、先端デバイスの銅配線用として量産しており、大手エレクトロニクスメーカー様からパートナーとしての認定をいただくなど、高い信頼を得ている製品です。また、最先端デバイス用CMPスラリーの開発も進めています。
・異種材料同時研磨用（CMPスラリー）
我々は単一材料を研磨するのではなく異種材料を高選択または低選択にて研磨することを得意としています。例えばCa＆Taダマシン構造の形成、樹脂中の埋め込まれている金属プラグの頭出しなどで実績があります。
【配線形成用】半導体用CMPスラリー＜Cu用CMP＞
研磨特性（製品名：TPC）
Cu用CMPスラリーでCu（銅）を研磨します。
Ta（タンタル）で研磨ストップします。
【配線形成用】半導体用CMPスラリー＜Ta用CMP＞
研磨特性（製品名：MKT）
・ 酸化剤 H2O2系
・ Cu研磨速度調整可能
・ 高い分散安定性（1年以上）
Ta用CMPスラリーでTa（タンタル）及びCu（銅）を研磨します。
Ta（タンタル）が研磨され、絶縁膜とCuが露出します。
【配線形成用】半導体用CMPスラリー＜W用CMP＞
研磨特性（製品名：MKW）
W用CMPスラリーにてW（タングステン）を研磨します。
【TSV用】半導体用CMPスラリー＜厚膜Cu用CMP＞
研磨特性（製品名：SE-High）
・ 酸化剤 H2O2系
・ ミクロンオーダーにてCu高速除去
・ 高い分散安定性（1年以上）
厚膜Cu用CMPスラリーにてCu（銅）を研磨します。
【TSV用】半導体用CMPスラリー＜Si用CMP＞
研磨特性（製品名：Si-07）
・ ミクロンオーダーにてSi高速除去
Si用CMPスラリーにて、Si（シリコン）と絶縁膜及びTi（チタン）を研磨します。
【樹脂研磨用】パッケージ用CMPスラリー＜PI研磨用CMP＞
研磨特性（製品名：PI-01）
・ ミクロンオーダーにてポリイミド高速除去
・ 研磨後表面の低表面粗さ実現
・ 銅配線との同時研磨可能
PI研磨用CMPスラリーにより、PI（ポリイミド）を研磨します。
【 樹脂研磨用 】パッケージ用CMPスラリー＜フィラー入り樹脂膜用CMP＞
研磨特性（製品名：CME-01）
フィラー入り樹脂膜用CMPスラリーにより、フィラー入り樹脂膜を研磨します。
【その他】半導体用CMPスラリー＜酸化膜用CMP＞
研磨特性（製品名：CMS）
・ 酸化膜に対する優れた研磨速度
・ 高濃縮対応（10倍濃縮タイプ）
・ 再分散性良好
・ 研磨後表面の表面粗さ、洗浄性良好
酸化膜用CMPスラリーにより、絶縁膜を研磨します。
【その他】HDD向けスラリー＜磁気ヘッド研磨用＞
研磨特性（製品名：DS-01）
・ 油系ダイヤモンドスラリー
・ 再分散性良好、高速研磨かつ低スクラッチを達成
・ 研磨後の被研磨物への被着物を低減
・ 油系＋酸化防止剤で高い腐食防止効果を達成
一次粒子まで分散を行った後、フロキュレート化剤を添加することでフロキュレート（擬似凝集）させ、高速研磨と高い面品位を実現させます。
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