CMPスラリー展開事例「RDLインターポーザ用」「樹脂／メタルのハイブリッドボンディング用」

　AIチップやスマートフォン等の多くのデバイスの需要により、現代の半導体技術は、さらなる小型化や高性能化が求められています。
RDL（再配線層）技術を駆使したインターポーザは、高密度配線と優れた電気的接続性を提供し、多様なチップ間で効率的な通信が可能です。
また、新しい接合技術である、ハイブリッドボンディング技術により異なる材料や構造を効率的に結びつけることができます。
これらの技術によって、新しい応用分野への展開が進んでいます。
　この技術革新はCMPスラリーによる表面平坦化プロセスと組み合わせることで、さらなる精度向上が図られています。
AIプロセッサや5G通信モジュールなど次世代テクノロジーでは、このような高度なパッケージングソリューションが求められており、市場からの期待も大きくなっています。
　本記事では、CMPスラリー展開事例として「RDLインターポーザ用」「樹脂／メタルのハイブリッドボンディング用」の2種類のCMPスラリーをご紹介いたします。
 

ハイブリッドボンディング技術とは、半導体製造における革新的な接合方法です。
この技術は異なる材料を高精度で結合することが可能であり、高性能デバイスの実現に寄与しています。
例えば、CMPスラリーによって表面平坦化された基板上に樹脂層を形成し、その後メタル配線と組み合わせることで、高密度かつ信頼性の高い回路構築が可能となります。
また、このプロセスでは従来よりも低温での処理が行えるため、熱的ストレスを軽減しながら優れた電気的特性を維持できます。
これらの利点から、絶縁膜にPIを使用するものは次世代プロセスとして幅広い分野での利用が期待されています。